1- MOS de enriquecimento - Normally - off (canal n / canal p)
* Está normalmente bloqueado
* Na ausência de tensão na "G", a "S" e o "D" ficam incomunicáveis (Id=0)
* O canal cria-se mediante tensão na "G"
* Quanto maior for a tensão na "G" maior será o canal e maior será Id
2- MOS de empobrecimento - Normally - on (canal n / canal p)
* Normalmente conduzem
* Na ausência de tensão na "G", a "S" e o "D" ficam ligados pelo canal criado no processo de fabricação (Id*0)
* O MOS de empobrecimento pode também funcionar como MOS de enriquecimento, bastanto para isso inverter a polarização da tensão Vgs
Estrutura interna do MOS (enriquecimento canal n)
Símbolos do MOS - Representações e polarizações
Nota: a linha a tracejado (enriquecimento) indica que o canla se cria por influência da tensão na "G", enquanto que a contínua indica-nos que o canl se cria no processo de fabricação
Funcionamento (enriquecimento canal n)
* Com uma ddp nula entre a "S" e a "G" (Vgs) o transístor está bloqueado, não há corrente entre a "S" e o "D" (Id=0) ainda que se aplique uma Vds
* Ao aplicar uma Vgs>0 cria-se uma acumulação de cargas (electrões) entre a "S" e o "D"
* O canal alarga com o aumento da tensão na "G"
Características de saída do MOS (enriquecimento canal n)
Características de transferência
Notas: Id= Idss (1-(Vgs/Vp))2 Idss quando Vgs = 0 Vp quando Id = 0
Exercícios
1- Os parâmetros de um MOS de empobrecimento canal n, são: Vp= -5 V e Idss= 8 mA. Calcular Id quando:
a) Vgs = -2 V
b) Vgs = 0 V
c) Vgs = 2 V
2- Calcule a Vds e Vgs supondo:
Vp =-5V e Idss=8mA
(empobrecimento canal n,
de enriquecimento não podia ser)