Transítores Efeito de Campo de Porta Isolada MOS

1- MOS de enriquecimento - Normally - off (canal n / canal p)

* Está normalmente bloqueado
* Na ausência de tensão na "G", a "S" e o "D" ficam incomunicáveis (Id=0)
* O canal cria-se mediante tensão na "G"
* Quanto maior for a tensão na "G" maior será o canal e maior será Id


2- MOS de empobrecimento - Normally - on (canal n / canal p)

* Normalmente conduzem
* Na ausência de tensão na "G", a "S" e o "D" ficam ligados pelo canal criado no processo de fabricação (Id*0)
* O MOS de empobrecimento pode também funcionar como MOS de enriquecimento, bastanto para isso inverter a polarização da tensão Vgs



Estrutura interna do MOS (enriquecimento canal n)








Símbolos do MOS - Representações e polarizações



Nota: a linha a tracejado (enriquecimento) indica que o canla se cria por influência da tensão na "G", enquanto que a contínua indica-nos que o canl se cria no processo de fabricação


Funcionamento (enriquecimento canal n)

* Com uma ddp nula entre a "S" e a "G" (Vgs) o transístor está bloqueado, não há corrente entre a "S" e o "D" (Id=0) ainda que se aplique uma Vds

* Ao aplicar uma Vgs>0 cria-se uma acumulação de cargas (electrões) entre a "S" e o "D"

* O canal alarga com o aumento da tensão na "G"


Características de saída do MOS (enriquecimento canal n)



Características de transferência




Notas: Id= Idss (1-(Vgs/Vp))2 Idss quando Vgs = 0 Vp quando Id = 0




Exercícios

1- Os parâmetros de um MOS de empobrecimento canal n, são: Vp= -5 V e Idss= 8 mA. Calcular Id quando:
a) Vgs = -2 V
b) Vgs = 0 V
c) Vgs = 2 V


2- Calcule a Vds e Vgs supondo:
Vp =-5V e Idss=8mA

(empobrecimento canal n,
de enriquecimento não podia ser)